半導(dǎo)體失效分析是確保半導(dǎo)體器件可靠性和性能的關(guān)鍵技術(shù)，它通過(guò)對(duì)失效半導(dǎo)體芯片的深入分析，確定其失效的根本原因。失效可能由多種因素引起，包括材料缺陷、設(shè)計(jì)不足、工藝問(wèn)題、環(huán)境因素或操作失誤。失效分析不僅有助于工藝的不斷改進(jìn)和優(yōu)化，修復(fù)芯片設(shè)計(jì)中的缺陷，還為故障診斷提供了關(guān)鍵的證據(jù)支持。它為生產(chǎn)測(cè)試環(huán)節(jié)提供了重要的補(bǔ)充，確保了產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。

半導(dǎo)體失效分析-質(zhì)量鑒定-司法鑒定

半導(dǎo)體失效分類(lèi)

1.斷裂失效：

應(yīng)力腐蝕：材料在應(yīng)力和腐蝕環(huán)境共同作用下發(fā)生的斷裂。

高溫應(yīng)力斷裂：材料在高溫和應(yīng)力長(zhǎng)期作用下發(fā)生的斷裂。

疲勞斷裂：材料在反復(fù)應(yīng)力作用下發(fā)生的斷裂。

2.非斷裂失效：

磨損失效：由于摩擦導(dǎo)致的材料表面磨損。

腐蝕失效：材料在化學(xué)或電化學(xué)作用下發(fā)生的損壞。

變形失效：材料在外力作用下發(fā)生的不可逆形變。

3.復(fù)合失效機(jī)理：

多種失效機(jī)理綜合作用，如應(yīng)力腐蝕和疲勞斷裂的共同作用導(dǎo)致的失效。

中科檢測(cè)的半導(dǎo)體失效分析服務(wù)

中科檢測(cè)憑借其專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和CMA資質(zhì)認(rèn)證，為客戶(hù)提供全面的半導(dǎo)體失效分析服務(wù)，以下是一些具體的失效現(xiàn)象和分析方法：

1.開(kāi)路：

EOS(電氣過(guò)應(yīng)力)：由于電壓或電流超過(guò)器件承受范圍導(dǎo)致的損壞。

ESD(靜電放電)：靜電放電造成的器件損壞。

電遷移：電流導(dǎo)致的金屬遷移，引起線(xiàn)路斷裂。

應(yīng)力遷移：金屬互連線(xiàn)的應(yīng)力引起的斷裂。

腐蝕：化學(xué)腐蝕導(dǎo)致的金屬線(xiàn)路斷裂。

鍵合點(diǎn)脫落：鍵合點(diǎn)因機(jī)械或熱應(yīng)力而脫落。

機(jī)械應(yīng)力：外力導(dǎo)致的器件結(jié)構(gòu)損壞。

熱變應(yīng)力：溫度變化引起的應(yīng)力導(dǎo)致器件損壞。

2.短路：

PN結(jié)缺陷：PN結(jié)區(qū)域的缺陷導(dǎo)致的短路。

PN結(jié)穿釘：PN結(jié)區(qū)域的穿透性缺陷。

介質(zhì)擊穿：絕緣材料因電應(yīng)力而失效。

金屬遷移：金屬原子遷移導(dǎo)致的短路。

3.參漂：

氧化層電荷：氧化層中的電荷變化影響器件性能。

表面離子：表面吸附的離子影響器件的電性能。

芯片裂紋：芯片內(nèi)部的裂紋導(dǎo)致性能下降。

熱載流子：熱載流子效應(yīng)導(dǎo)致的器件參數(shù)變化。

輻射損傷：輻射導(dǎo)致的器件性能退化。

4.功能失效：

EOS、ESD：如實(shí)例一中的浪涌損壞，導(dǎo)致整流橋功能失效。

中科檢測(cè)的半導(dǎo)體失效分析服務(wù)，不僅能夠幫助客戶(hù)找出問(wèn)題的根源，還能夠提供改進(jìn)建議，從而提高產(chǎn)品的可靠性和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

半導(dǎo)體失效分析-質(zhì)量鑒定-司法鑒定